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Placa de transistor bipolar de porta isolada GE DS200IIBDG1AGA (IGBT)

breve descrição:

Item nº: DS200IIBDG1AGA

marca: GE

preço: $ 1.500

Prazo de entrega: Em estoque

Pagamento: T/T

Porto de embarque: Xiamen


Detalhes do produto

Etiquetas de produto

Descrição

Fabricação GE
Modelo DS200IIBDG1AGA
Informações sobre pedidos DS200IIBDG1AGA
Catálogo Speedtronic Mark V
Descrição Placa de transistor bipolar de porta isolada GE DS200IIBDG1AGA (IGBT)
Origem Estados Unidos (EUA)
Código HS 85389091
Dimensão 16cm*16cm*12cm
Peso 0,8 kg

Detalhes

A placa GE Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) DS200IIBDG1AGA contém nove LEDs indicadores que fornecem um status do processamento. Os LEDs são visíveis do interior do gabinete da placa de circuito e ficam vermelhos quando acesos.

Os LEDs estão localizados na placa em três grupos e cada grupo contém três LEDs. Cada grupo de LEDs está associado a um conector de 8 pinos localizado adjacente aos LEDs. Os LEDs indicam o status do sinal recebido ou transmitido do conector de 8 pinos.

Os três conectores de 8 pinos são identificados como APL, BPL e CPL na placa GE Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) DS200IIBDG1AGA. Além disso, a placa é preenchida com um conector de 34 pinos composto por duas fileiras de 17 pinos. Um cabo plano pode ser conectado ao conector de 34 pinos. O cabo plano também está conectado a uma placa no gabinete e deve ser direcionado corretamente para evitar tocar em outros componentes. O cabeamento está confinado apenas ao interior do inversor.

Para retirar a placa com defeito, é necessário retirar seis parafusos que prendem a placa na estrutura interna do gabinete. Ao usar uma chave de fenda para remover os parafusos, certifique-se de não encostar em outros componentes do gabinete ou nos pontos de solda das placas. É importante ter uma visão clara dos componentes para evitar danos. Recupere todos os parafusos que caíram na unidade.


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