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Placa inversora ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Módulo IGCT

breve descrição:

Nº do item: ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162

marca: ABB

preço: $ 15.000

Prazo de entrega: Em estoque

Pagamento: T/T

porto de embarque: xiamen


Detalhes do produto

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Descrição

Fabricação ABB
Modelo 5SHY4045L0001
Informações sobre pedidos 3BHB018162
Catálogo Peças de reposição VFD
Descrição Placa inversora ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Módulo IGCT
Origem Estados Unidos (EUA)
Código SH 85389091
Dimensão 16 cm * 16 cm * 12 cm
Peso 0,8 kg

Detalhes

5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 é um produto de tiristor comutado por porta integrada (IGCT) da ABB, pertencente à série 5SHY.

IGCT é um novo tipo de dispositivo eletrônico que surgiu no final da década de 1990.

Ele combina as vantagens do IGBT (transistor bipolar de porta isolada) e do GTO (tiristor de desligamento de porta) e tem as características de alta velocidade de comutação, grande capacidade e grande potência de acionamento necessária.

Especificamente, a capacidade do 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 é equivalente à do GTO, mas sua velocidade de comutação é 10 vezes mais rápida que a do GTO, o que significa que ele pode concluir a ação de comutação em um tempo menor e, assim, melhorar a eficiência de conversão de energia.

Além disso, comparado ao GTO, o IGCT pode economizar o enorme e complicado circuito de amortecimento, o que ajuda a simplificar o projeto do sistema e reduzir custos.

Entretanto, é importante ressaltar que embora o IGCT tenha muitas vantagens, a potência motriz necessária ainda é grande.

Isso pode aumentar o consumo de energia e a complexidade do sistema. Além disso, embora o IGCT esteja tentando substituir o GTO em aplicações de alta potência, ele ainda enfrenta forte concorrência de outros dispositivos novos (como o IGBT).

5SHY4045L00013BHB018162R0001 Transistores comutados de porta integrada|GCT (Transistores comutados de porta integrada) é um novo dispositivo semicondutor de potência usado em grandes equipamentos eletrônicos de potência lançados em 1996.

IGCT é um novo dispositivo de comutação semicondutor de alta potência baseado na estrutura GTO, usando estrutura de porta integrada para disco rígido de porta, usando estrutura de camada intermediária de buffer e tecnologia de emissor transparente de ânodo, com as características de estado ligado do tiristor e as características de comutação do transistor.

5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 usa uma estrutura de buffer e tecnologia de emissor raso, o que reduz a perda dinâmica em cerca de 50%.

Além disso, esse tipo de equipamento também integra um diodo de roda livre com boas características dinâmicas em um chip e, então, realiza a combinação orgânica de baixa queda de tensão no estado ligado, alta tensão de bloqueio e características de comutação estáveis ​​do tiristor de uma maneira única.

5SHY4045L0001


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