Placa inversora ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Módulo IGCT
Descrição
Fabricação | ABB |
Modelo | 5SHY4045L0001 |
Informações sobre pedidos | 3BHB018162 |
Catálogo | Peças de reposição VFD |
Descrição | Placa inversora ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Módulo IGCT |
Origem | Estados Unidos (EUA) |
Código SH | 85389091 |
Dimensão | 16 cm * 16 cm * 12 cm |
Peso | 0,8 kg |
Detalhes
5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 é um produto de tiristor comutado por porta integrada (IGCT) da ABB, pertencente à série 5SHY.
IGCT é um novo tipo de dispositivo eletrônico que surgiu no final da década de 1990.
Ele combina as vantagens do IGBT (transistor bipolar de porta isolada) e do GTO (tiristor de desligamento de porta) e tem as características de alta velocidade de comutação, grande capacidade e grande potência de acionamento necessária.
Especificamente, a capacidade do 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 é equivalente à do GTO, mas sua velocidade de comutação é 10 vezes mais rápida que a do GTO, o que significa que ele pode concluir a ação de comutação em um tempo menor e, assim, melhorar a eficiência de conversão de energia.
Além disso, comparado ao GTO, o IGCT pode economizar o enorme e complicado circuito de amortecimento, o que ajuda a simplificar o projeto do sistema e reduzir custos.
Entretanto, é importante ressaltar que embora o IGCT tenha muitas vantagens, a potência motriz necessária ainda é grande.
Isso pode aumentar o consumo de energia e a complexidade do sistema. Além disso, embora o IGCT esteja tentando substituir o GTO em aplicações de alta potência, ele ainda enfrenta forte concorrência de outros dispositivos novos (como o IGBT).
5SHY4045L00013BHB018162R0001 Transistores comutados de porta integrada|GCT (Transistores comutados de porta integrada) é um novo dispositivo semicondutor de potência usado em grandes equipamentos eletrônicos de potência lançados em 1996.
IGCT é um novo dispositivo de comutação semicondutor de alta potência baseado na estrutura GTO, usando estrutura de porta integrada para disco rígido de porta, usando estrutura de camada intermediária de buffer e tecnologia de emissor transparente de ânodo, com as características de estado ligado do tiristor e as características de comutação do transistor.
5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 usa uma estrutura de buffer e tecnologia de emissor raso, o que reduz a perda dinâmica em cerca de 50%.
Além disso, esse tipo de equipamento também integra um diodo de roda livre com boas características dinâmicas em um chip e, então, realiza a combinação orgânica de baixa queda de tensão no estado ligado, alta tensão de bloqueio e características de comutação estáveis do tiristor de uma maneira única.