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5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 é um produto de tiristor comutado por porta integrada (IGCT) da ABB, pertencente à série 5SHY.

IGCT é um novo tipo de dispositivo eletrônico que surgiu no final da década de 1990.

Ele combina as vantagens do IGBT (transistor bipolar de porta isolada) e do GTO (tiristor de desligamento de porta) e tem as características de alta velocidade de comutação, grande capacidade e grande potência de acionamento necessária.

Especificamente, a capacidade do 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 é equivalente à do GTO, mas sua velocidade de comutação é 10 vezes mais rápida que a do GTO, o que significa que ele pode concluir a ação de comutação em um tempo menor e, assim, melhorar a eficiência de conversão de energia.

Além disso, comparado ao GTO, o IGCT pode economizar o enorme e complicado circuito de amortecimento, o que ajuda a simplificar o projeto do sistema e reduzir custos.

Entretanto, é importante ressaltar que embora o IGCT tenha muitas vantagens, a potência motriz necessária ainda é grande.

Isso pode aumentar o consumo de energia e a complexidade do sistema. Além disso, embora o IGCT esteja tentando substituir o GTO em aplicações de alta potência, ele ainda enfrenta forte concorrência de outros dispositivos novos (como o IGBT).

5SHY4045L00013BHB018162R0001 Transistores comutados de porta integrada|GCT (Transistores comutados de porta integrada) é um novo dispositivo semicondutor de potência usado em grandes equipamentos eletrônicos de potência lançados em 1996.

IGCT é um novo dispositivo de comutação semicondutor de alta potência baseado na estrutura GTO, usando estrutura de porta integrada para disco rígido de porta, usando estrutura de camada intermediária de buffer e tecnologia de emissor transparente de ânodo, com as características de estado ligado do tiristor e as características de comutação do transistor.

5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 usa uma estrutura de buffer e tecnologia de emissor raso, o que reduz a perda dinâmica em cerca de 50%.

Além disso, esse tipo de equipamento também integra um diodo de roda livre com boas características dinâmicas em um chip e, então, realiza a combinação orgânica de baixa queda de tensão no estado ligado, alta tensão de bloqueio e características de comutação estáveis ​​do tiristor de uma maneira única.